Bo mạch Snubber IGBT P3 GE DS200IPCSG2ABB 330mm x 200mm

GE DS200IPCSG2ABB Cửa cách ly Bipolar Transistor P3 Snubber Board

Chi tiết sản phẩm:

GEDS200IPCSG2ABBlà một IGBT P3 Snubber Board được thiết kế cho hai hệ thống chính: Hệ thống điều khiển kích thích EX2000 của GE và Hệ thống điều khiển tuabin Mark V.Vai trò cốt lõi của nó là bảo vệ IGBTs thiết bị bán dẫn quan trọng để chuyển mạch điện trong tua-bin bằng cách ức chế các đỉnh điện ápĐiều này bảo vệ IGBT khỏi bị hư hỏng, đảm bảo hoạt động điều khiển tua-bin ổn định và kéo dài tuổi thọ của hệ thống.

Về mặt vật lý, nó có một đầu nối 4 chân để tích hợp hệ thống và các ốc vít điều chỉnh để tối ưu hóa hiệu suất IGBT. Nó được gắn trong kệ kim loại của tủ truyền động, liên kết với các lỗ vít được khoan trước.Việc lắp đặt đòi hỏi phải phù hợp với vị trí của bảng cũ, định tuyến cáp và điều chỉnh vít; cáp phải được nắm giữ bởi các đầu nối để tránh bị hư hại. Nó tận dụng công nghệ Speedtronic di sản của GE, một tính năng chính của dòng Mark V phổ biến, hiện là di sản.

Đặc điểm chính:
Khả năng tương thích giữa các hệ thống:Hoạt động với EX2000 Excitation Control và Mark V Turbine Control Systems, làm cho nó linh hoạt cho bảo vệ IGBT trong các thiết lập tuabin và kích thích.
Lõi bảo vệ IGBTỨng dụng này giúp ngăn chặn sự gia tăng điện áp, giảm tiếng ồn tạm thời và giới hạn điện áp quá cao. Điều này rất quan trọng để ngăn ngừa thiệt hại IGBT và đảm bảo chuyển mạch điện đáng tin cậy trong tua-bin.
Định chỉnh chính xác:Vít điều chỉnh cho phép điều chỉnh hiệu suất IGBT, với việc lắp đặt đòi hỏi phải sắp xếp theo cài đặt của bảng cũ để tích hợp hệ thống liền mạch.
Thiết kế bền vững và có cấu trúc:Lắp đặt trong kệ kim loại thông qua các lỗ vít thẳng hàng; đầu nối 4 chân đảm bảo cáp an toàn, với các hướng dẫn xử lý nghiêm ngặt để bảo vệ kết nối.
Giảm EMI & Tăng độ tin cậy:Giảm thiểu nhiễu điện từ (EMI) từ chuyển đổi IGBT và tăng độ tin cậy tổng thể của hệ thống bằng cách ổn định điện áp trong hoạt động IGBT.